大數(shù)據(jù)時代，包括PC在內(nèi)的所有智能終端都在朝著更強性能、更高算力的方向迭代升級。為了滿足PC等智能終端對性能的追求，佰維存儲近期正式發(fā)布DDR5 DRAM存儲模組，以大容量、高頻率、低功耗，助力客戶提前布局最新的DDR5處理器平臺產(chǎn)品開發(fā)，加速下一代PC等智能終端產(chǎn)品的商業(yè)化進程。
佰維存儲DDR5 UDIMM
根據(jù)VCZ的最新消息，支持DDR5的因特爾12代酷睿處理器將于11月4日上市發(fā)售。后續(xù)，支持DDR5標準的PC主機必將迅速涌現(xiàn)。這意味著DDR5的時代將正式開啟。相比DDR4內(nèi)存，DDR5擁有更高的起步頻率，業(yè)內(nèi)預(yù)估未來可達6400MHZ，同時電壓更低，數(shù)據(jù)預(yù)取更大。相關(guān)對比數(shù)據(jù)如下:
DDR3、DDR4、DDR5對比
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佰維DDR5 UDIMM存儲模組采用鎂光（Micron）最新1znm 16Gb DDR5原廠顆粒，標準頻率提升至4800Mbps，直接沖破DDR4的性能天花板。同時，考慮到市場還處于交替初期，佰維存儲提供16GB、32GB兩種容量規(guī)格供客戶選擇。
佰維存儲DDR5規(guī)格參數(shù)
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除了大幅提升性能之外，佰維DDR5 UDIMM實現(xiàn)了多種RAS（Reliability，Availability and Serviceability）功能，提高了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性與適合性。其中主要包括：
On-Die ECC糾錯機制
On-Die ECC糾錯機制將原本用于工控企業(yè)級應(yīng)用的數(shù)據(jù)糾錯功能，帶到了民用平臺 ，不需要獨立的芯片，為數(shù)據(jù)傳輸過程提供端對端的完整保護。
WR寫入數(shù)據(jù)均衡
WR寫入數(shù)據(jù)均衡功能不僅可以保護通免受符號間干擾的影響，還可實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)寫入速率。
PMIC電源管理
PMIC電源管理高效控制系統(tǒng)電源負載，調(diào)節(jié)電源紋波、電壓和上下電時序，提升信號完整性與兼容性；同時，僅1.1V的工作電壓，可以達到降低發(fā)熱量和省電的效果。
數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余校驗 (CRC)
佰維DDR5支持對寫入和讀取的數(shù)據(jù)進行CRC 校驗，實現(xiàn)高速、高正確率、低成本糾錯，從而避免通道出錯。
佰維DDR5賦能高速運算
佰維存儲踐行“芯存萬象、致美唯真”的品牌理念，在高頻、高速、小尺寸、大容量等存儲芯片產(chǎn)品的研發(fā)方向上追求極致。在內(nèi)存產(chǎn)品從DDR4向DDR5升級的過渡期，佰維存儲主動出擊，研發(fā)推出DDR5 UDIMM內(nèi)存條，既提前為客戶進行下一代主機產(chǎn)品的研發(fā)測試提供配套，也為DDR5新功能的開發(fā)、全產(chǎn)品線覆蓋做好了鋪墊。
佰維存儲DDR5 UDIMM
佰維存儲DDR5 UDIMM預(yù)計于2022年進入量產(chǎn)階段，之后，還將推出DDR5的SODIMM版本,以及采用三星顆粒的DDR5系列產(chǎn)品。作為存儲芯片全案提供商，佰維存儲正努力促使DDR5進入具有高效能運算需求的游戲電腦、數(shù)據(jù)中心、AloT、人工智能等應(yīng)用場景，推動新一輪性能浪潮的到來。
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